열해석 시뮬레이션 오류 문의

hongsun PARK
hongsun PARK Altair Community Member
edited January 3 in Community Q&A

LG전자 가산 근부하고 있는 박홍선책임입니다. 

지난번 시뮬레이션 오류 문의를 드렸고, 아직 해결하지 못해서 다시 문의 드립니다. 

- 문제점: 아래와 같이 간단한 시뮬레이션 수행시 thermal 모델(C3M0120065J)에서 오류가 발생합니다. 

- 오류 메세지: Error: For the 3-quadrant curve Vds_Ids, both Vds and Ids must be negative. Modify the curve in the Device Database Editor

                        by adding a negative sign to all values and redefining the range of the X and Y axises.

해당 thermal 모델은 PSIM에서(Altair) 제공하는 모델입니다. 

 

요청 사항은, 

가산에 출장오셔서 시뮬레이션 오류를 잡아 주시길 요청 드립니다.  

지난번 회신 주셨을때 문제가 없다고 하셔서, 아래와 같이 간단한 시뮬레이션을 실행했습니다.

그래도 여전히 시뮬레이션 오류가 발생해서, 직접 확인 및 오류를 해결해 주시길 요청 드립니다. 

금주중 출장 가능한지 문의 드립니다. 

 

 

-- 간단한 시뮬레이션 --

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Answers

  • Rhonda_20369
    Rhonda_20369 New Altair Community Member
    edited January 3

    Hi, Hongson,

    About this device "C3M0120065" in PSIM's thermal device database, the 3rd quadrant characteristic is as shown in the picture below. The voltage and current are already negative. 

    There should be no problem using this components.

    image

     

    In your schematic, if you did not set the initial capacitor voltage properly, the inrush current would be very high, exceeding the device's maximum rating of 40A. You may get error messages:

    "The x-axis input of the following graph exceeds the maximum: Drain-source voltage vs. drain current (VDS vs. IDS)"

    If you look at the MOSFET's current waveform you would know, this error message is about the 1st quadrant current value. It is not related to the 3rd quadrant operation.

    image

     

    Sincerely,

    Rhonda

     

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